現在の場所: ホームページ k8 遊技機 MOSFETニュース センター
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8月28日に開催されたPCIMアジア2024展示会にて,ロンシール k8.King Technology の子会社である SwissSEM、1200V/13mΩ SiC MOSFET チップを正式リリース,チップの専門家が現場レポート「業界をリードする高温オン抵抗 1」.2kV SiC MOSFET,電気自動車に最適な小型インバーター》。
ロンシール k8.King Technology SiC MOSFET チップ
炭化ケイ素 (ロンシール k8) は高い絶縁破壊電界を持っています、高い飽和電子速度、高い熱伝導率、高い電子密度、高い移動度などの特徴,優れた半導体材料です,新エネルギー車で広く使用されている、太陽光発電インバーター、電力貯蔵、サーバーの電源、産業用電源の周波数変換、スマートグリッド、鉄道輸送およびその他の分野。特に新エネルギー車の分野,炭化ケイ素 (ロンシール k8) パワーデバイスは、新エネルギー車向けの軽量パワーエレクトロニクス駆動システムの実現に貢献、効率,新エネルギー車のメインドライブインバーターなどの主要な電子制御コンポーネントでより重要な役割を果たすようになる。電気自動車の世界的な受け入れが徐々に増加している,炭化ケイ素 (ロンシール k8) は今後 10 年間に新たな成長の機会をもたらす。
ロンシール k8King Technology SiC MOSFETチップを今回発売,業界をリードする特殊な設計とプロセスを多数採用,含まれるもの:
-- ロンシール k8の端から金属層までの距離はわずか約 100 ミクロンです。 -- セル間隔は最小 5.0 ミクロンまで縮小されます。
--最適なパフォーマンスを実現する短いチャネル設計; -- セル間の電流拡散注入;
-- ゲート メタルのレイアウトはロンシール k8の周囲に続きます; --アクティブ領域のポリシリコン ゲート ゲート;
--連続したアルミニウムと銅のソースパッド。
優れたデザインと職人技による,高温動作条件下での当社の SiC MOSFET ロンシール k8,優れた静的および動的特性を示します,業界最高レベルの1200V/13mΩに到達。
さらに,この SiC MOSFET チップの使用,ロンシール k8King Technology も複数の自動車グレードのモデルを発売しました、高性能 HEEV パッケージ、EVD パッケージの SiC モジュール。HEEV パッケージ、EVD パッケージの SiC モジュールは業界をリードする設計およびパッケージング プロセスを採用,優れた放熱性能,そして優れた信頼性、堅牢性,100KW から 300KW までの主流の電気自動車アプリケーション要件をカバーできます,電気自動車用の特別にコンパクトなインバーター。
ロンシール k8King i20 IGBTチップも同時展示、ED パッケージ IGBT モジュール、ST パッケージ IGBT モジュール、BEVD パッケージ IGBT モジュール、EP パッケージ IGBT モジュール,および HEEV パッケージの SiC モジュール、EVD パッケージの SiC モジュール製品,参加者から大きな注目と熱狂的な反応を受け取りました,多くの参加者を惹きつける、現場のゲストからの熱心な関心と綿密なコミュニケーション。
ロンシール k8,「中核」の未来に力を与える,多くの世界的な巨人が集まる PCIM アジア 2024,サンキング社が独自にIGBTを開発、SiC チップとモジュール、その他多くの製品,世界クラスのテクノロジーと優れたパフォーマンスを備えています,国内外の業界専門家や顧客から満場一致で認められ、高い評価を獲得。